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HMC1021Z单轴AMR磁传感器霍尼韦尔Honeywell

售价：面议

科沃电子(杭州)有限公司

应用领域:

轨道交通设备管理

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1 供电参数

电桥供电 Vbridge：2V~25V 超宽电压，常规 5V、3.3V 均可使用，适配绝大多数工控、单片机系统
桥臂电阻：典型 1100Ω（HMC1001 为 850Ω），功耗更低，稳定性更好Honeywell
总静态电流：≤10mA，适配电池供电设备
带宽：DC~5MHz，兼顾静态地磁、高频交变磁场检测

2 磁场关键性能（核心对标 HMC1001）

表格

参数	HMC1021Z	补充说明
标准线性量程	±2Gs（±0.2mT）	完整覆盖地磁场（0.5Gs）；短时最高耐受 ±6Gs
灵敏度	1mV/V/Gs	5V 供电：1Gs 对应差分输出 5mV；比 HMC1001（3.2mV/V/Gs）灵敏度更低，需要更高运放增益放大Honeywell
分辨率	85μGs（典型低至 27μGs）	可捕捉微弱地磁变化，航向精度充足
S/R 复位最低电流	0.5A 脉冲（1~2μs）	HMC1001 需要 3A，本芯片复位驱动更简单，3.3V/5V 小功率三极管即可实现，外围成本大幅下降Honeywell
噪声密度	48nV/√Hz@1Hz	低频噪声优秀，适合长时间静态地磁采集
抗磁化干扰	＞20Gs 才会磁化失敏	强磁场耐受优于老款，故障率更低
线性误差	≤±0.5% FS；迟滞≤0.1% FS	高低温稳定性优秀

3 温度规格

工作温度：-40℃ ~ +125℃，比 HMC1001 上限更高，耐高温工业场景更合适
存储温度：-55℃ ~ +125℃
温漂：灵敏度温漂 - 0.3%/℃，必须依靠 S/R 周期性复位抑制零点漂移

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